Haut-parleur d'extrêmes graves à faible profondeur de 10 po et 2 ohms T1 SVC Fosgate T1S2-10S de Rockford pour enceintes scellées
Le Fosgate T1S2-10S de Rockford apporte des basses puissantes et contrôlées dans les installations où l'espace est limité. Conçu spécialement pour les enceintes compactes et scellées, ce haut-parleur d'extrêmes graves peu profond de 10 po de 2Ω combine un design mince avec des technologies avancées de refroidissement, de suspension et de cône pour offrir des basses fréquences profondes et précises sans nécessiter de grande enceinte.
Conception peu profonde pour les installations compactes
Le T1S2-10S est conçu pour les espaces restreints tout en maintenant les performances attendues de la série Power. Sa conception peu profonde le rend idéal pour les applications où la profondeur du boîtier et l'espace disponible sont limités.
• haut-parleur d'extrêmes graves de 10 po peu profond
• Bobine acoustique simple de 2Ω
• Optimisé pour les boîtiers scellés
• 0,50 pi recommandé³ Boîtier scellé
• F3 de 40 Hz
• QTc de 1,00
Basses efficaces avec technologie de cône avancée
La VASTE technologie de Rockford Fosgate augmente la surface efficace du cône jusqu'à 25 %, ce qui aide le T1S2-10S à produire un rendement supérieur grâce à son format compact de 10 po. La suspension à injection directe Nano Cell offre une suspension durable conçue pour résister à la fatigue et à la pourriture sèche.
• UNE VASTE technologie
• Jusqu'à 25 % d'augmentation de la surface efficace du cône
• Ambiophonie à injection directe Nano Cell
• Encadrement en polymère synthétique haute performance
Excursion contrôlée et faible distorsion
Deux araignées Nomex sont asymétriques pour offrir un mouvement contrôlé du cône et une meilleure précision des basses. Les technologies EVCC et SYMS de Rockford Fosgate assurent un contrôle précis de la suspension et du cône, tandis que le système IDHS™ aide à réduire la distorsion et les interférences électromagnétiques.
• Araignées doubles Nomex
• Alignement asymétrique de l'araignée
• Technologie EVCC
• Technologie SYMS
• Système de réduction de distorsion IDHS™
Conçu pour la performance thermique
Le T1S2-10S utilise une bobine acoustique en cuivre sur un matériau composite résistant à la chaleur pour offrir des performances constantes lors de la lecture exigeantes. L'entretoise en aluminium et les ailettes de dissipateur thermique intégrées aident à gérer la chaleur, tandis que le cadre en aluminium moulé ajoute une résistance structurelle et un refroidissement supplémentaire.
• Bobine acoustique en cuivre
• Formateur de bobine acoustique composite résistant à la chaleur
• Entretoise d'araignée en aluminium
• Ailettes de dissipateur thermique intégrées
• Cadre en aluminium moulé sous pression
Construction durable
Le T1S2-10S est conçu pour résister à une utilisation quotidienne grâce à des matériaux durables et à des fonctions d'installation pratiques. Les fils cousus, les bornes à ressort résistantes à la corrosion et le panier FlexFit offrent une durabilité et une flexibilité de montage accrues.
• Fils scintillants cousus
• Bornes à ressort résistantes à la corrosion
• Panier FlexFit
• Construction en aluminium moulé sous pression
• Technologie Nano Cell Surround
Optimisé pour les boîtiers scellés
Le T1S2-10S est spécialement conçu pour fonctionner dans des boîtiers scellés. Le volume de l'enceinte 0,50 pi³ recommandé et la technologie 40 Hz F3 aident à produire des basses précises et contrôlées avec un caractère de basses fréquences réactif.
• Conception de boîtier scellé
• Volume de boîtier recommandé : 0,50 pi³
• F3 : 40 Hz
• QTc : 1,00
Spécifications clés
• haut-parleur d'extrêmes graves de 10 po peu profond
• Bobine acoustique simple de 2Ω
• Série Power
• UNE VASTE technologie
• Jusqu'à 25 % d'augmentation de la surface efficace du cône
• Ambiophonie à injection directe Nano Cell
• Araignées doubles Nomex
• Technologies EVCC et SYMS
• Système IDHS™
• Bobine acoustique en cuivre
• Formeur composite résistant à la chaleur
• Cadre en aluminium moulé sous pression
• Optimisé pour les boîtiers scellés
• Boîtier scellé recommandé : 0,50 pi³
• F3 : 40 Hz
• QTc : 1,00